名誉会长 禇君浩
红外物理学家、半导体物理和器件专家,中国科学院院士,中国科学院上海技术物理研究所研究员,东华大学理学院院长
长期从事红外光电子材料和器件的研究,开展了用于红外探测器的窄禁带半导体碲镉汞(HgCdTe)和铁电薄膜的材料物理和器件研究
主要研究固体物理、窄禁带半导体物理;系统研究了窄禁带半导体的基础物理,在光学性质、电学性质、能带结构、晶格振动、杂质缺陷、二维电子气研究方面取得系统的研究成果,HgCdTe基础物理部分研究成果具有国际领先水平;提出的禁带宽度公式被国际上称为CXT公式(褚、徐、汤)
截至2015年12月,褚君浩发表论文200余篇,研究结果被中国国内外广泛引用并被写进美国、英国、荷兰、前苏联等出版的科学手册和专著中,被Landolt-Bornstein科技数据集特邀为“含Hg化合物部分”修订负责人
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