名誉会长  禇君浩

红外物理学家、半导体物理和器件专家，中国科学院院士，中国科学院上海技术物理研究所研究员，东华大学理学院院长

长期从事红外光电子材料和器件的研究，开展了用于红外探测器的窄禁带半导体碲镉汞（HgCdTe）和铁电薄膜的材料物理和器件研究

主要研究固体物理、窄禁带半导体物理；系统研究了窄禁带半导体的基础物理，在光学性质、电学性质、能带结构、晶格振动、杂质缺陷、二维电子气研究方面取得系统的研究成果，HgCdTe基础物理部分研究成果具有国际领先水平；提出的禁带宽度公式被国际上称为CXT公式（褚、徐、汤）

截至2015年12月，褚君浩发表论文200余篇，研究结果被中国国内外广泛引用并被写进美国、英国、荷兰、前苏联等出版的科学手册和专著中，被Landolt-Bornstein科技数据集特邀为“含Hg化合物部分”修订负责人